Технологія вирощування соняшника. Частина 1.

Наша країна у світі займає лідируючі позиції по вирощуванню соняшника. Тому підбір достойних гібридів у аграріїв завжди стоїть на першому місті. Основні вимоги до гібридів зводяться до їх високої врожайності та олійності, стійкості до посухи, патогенних уражень та вовчка, а також до прикореневого вилягання та висипання дозріваючого насіння.

В одному сорті важко зібрати всі потрібні параметри, тому вчені-селекціонери почали створювати гібриди, які задовольняють більшість вимог аграріїв. При достатній вологості грунту різниця у врожайності між сортами і гібридами становить 6 – 8 ц/га на користь останніх. Вітчизняні гібриди не мають таких видатних показників, як закордонні. З цієї причини аграрії віддають перевагу високопродуктивним гібридам від світових лідерів насіннєвого матеріалу Лімагрейн, Піонер, Євраліс, Сингента та інші.

Основою технології вирощування соняшника – це задовольняти всі потреби рослини для її здорової вегетації та формування високого врожаю. Для вибору поля під посів соняшника потрібно звернути увагу на тип грунту, його кислотність та попередників, які росли на ньому в попередні роки. Соняшник добре родить на більшості типів грунтів. Виключення становлять сильно піщані, важкі глинисті, суглинкові із підвищеним вмістом вапна та заболочені грунти. Для нормальної ростової діяльності соняшника грунтова pH повинна коливатись в межах 1,7 – 7,0. Середня глибина проростання коренів більшості гібридів становить 3 м. Тому бажано щоб шар грунту товщиною 3 м. на час посіву соняшника містив достатньо вологи.

Кращими попередниками соняшника є озимі та ярі зернові, а також ріпак. Господарства, які мають велику кількість землі, висівають соняшник на тому самому місці аж через 8 років. Це дає змогу природнім шляхом знизити кількість фітохвороб та шкідливих комах які паразитують на культурі. До того ж між гібридами різного типу витримують дистанцію не менше одного кілометра для уникнення можливого перезапилення.

Технологія вирощування соняшника також передбачає передпосівну підготовку грунту та посівного матеріалу. Для вирощування соняшнику проводять класичну, або безвідвальну оранку грунту на глибину 25 – 27 см, та підготовляють насіння високої схожості шляхом його протруєння сумішшю фунгіцидних та інсектицидних протруйників, до яких додають ад’юванти а при невисокій родючості грунту і мікроелементи. Посівну розпочинають у весняний період дотримуючись оптимальних термінів, коли температура грунту на глибині залягання насіння сягатиме + 10 + 120 С. Насіння висівають пневматичними сівалками точного висіву на глибину 5 – 6 см для гібридів і 6 – 8 см для сортів. Однакова глибина залягання насіння по всій площі дозволяє демонструвати одночасні і дружні сходи, а в подальшому і масове цвітіння. Вченими доведено, що Україна серед європейських країн найбільше потерпає від забур’яненості посівів. На один гектар посівних площ в залежності від кліматичної зони припадає від 1,41 до 1,71 млрд. бур’янин. Соняшник до фази 5 пар справжніх листків не демонструє швидких ростових процесів, а у фазу 3 – 5 пар листків закладається майбутній врожай, тому рослини дуже вразливі до конкуренції з боку бур’янів.